苏州长光华芯光电技术有限公司成立于2012年，位于外资和高科技企业聚集地苏州高新区，是一家由海外归国博士团队依托中国科学院长春光机所创办、战略投资者参与的民营高科技企业。公司主要致力于高功率半导体激光器芯片、高速光通信半导体激光芯片、高效率半导体激光雷达芯片及相关光电器件和应用系统的研发生产和销售。产品广泛应用于：工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等。
公司拥有一批高层次的人才队伍，包括多名国家“千人计划”专家和海外归国博士、行业资深管理和技术专家以及3位院士组成的顾问团队等，公司研发技术队伍中硕士博士占比超过50%，团队多次获得国家部委、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担国家“863”、“973”，“国家重点研发计划”等多项国家级项目。已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。
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VCSEL chip is mainly used for various types of 3D sensing. With its MOVCD epitaxial technology, precise control of oxidation aperture and deep accumulation of epitaxial flow technology, Everbright can provide uniform array (for TOF solution) and random array (applicable). For structured light solutions) and single-point (for distance sensors) VCSEL chips with high power, high efficiency and high reliability.
Specifications such as chip wavelength, power, size and aperture can be customized.
VCSEL芯片，主要用于各类3D传感，长光华芯凭借 MOVCD 外延技术，氧化孔径精确控制和外延流片工艺的深厚积累，目前可提供均匀列阵（适用于TOF方案）、随机阵列（适用于结构光方案）和单点类（适用于距离传感器）VCSEL芯片，具有高功率、高效率和高可靠性。
芯片波长、功率、尺寸和孔径等指标可定制。
长光华芯的高亮度915nm/976nm光纤耦合模块，采用长光华芯自主研发并实现量产的单管芯片，通过精密的光学封装和严苛的工艺过程控制，实现高亮度的光纤耦合输出：135μm芯径光纤输出功率180W(976nm)，200μm芯径光纤输出功率280W(976nm/915nm)，实际NA测试95%能量达0.16，中心波长可以控制在±2nm，光谱宽度＜5nm。长光华芯也提供波长锁定的976nm光纤耦合模块，105μm光纤最高输出130W，实际NA测试95%能量小于0.16。经多家领先的第三方光纤激光器公司验证，采用长光华芯泵浦源的光纤激光器光光转换效率高，整机系统受环境温度影响微弱，18~31℃范围内光纤激光器性能稳定，具有亮度高、波长一致性好、数值孔径小的突出优点，是工业高功率光纤激光器和飞秒光纤激光器理想泵浦源。
Everbright's high-brightness 915nm/976nm fiber-coupled module uses Everbright's self-developed and mass-produced single-tube chip to achieve high-brightness fiber-coupled output through precise optical packaging and rigorous process control: 135μm The core fiber output power is 180W (976nm), the 200μm core fiber output power is 280W (976nm/915nm), the actual NA test 95% energy is 0.16, the center wavelength can be controlled at ±2nm, and the spectral width is
808nm/880nm光纤耦合模块，基于长光华芯自主研发并实现量产的单管芯片，通过精密的光学封装和严苛的工艺过程控制，实现稳定可靠的光纤耦合输出：808nm 400μm芯径输出功率25W-40W，光谱宽度＜3nm，波长偏差控制在±2.5nm；880nm 600μm芯径输出功率75W-120W，光谱宽度＜0.5nm，并可实现±0.5nm波长锁定（VBG），具有长寿命，转换效率高，体积小，性能稳定等特点，是固体激光器和固体皮秒激光器的理想泵浦源。
808nm/880nm fiber-coupled module, based on Everbright’s independently developed and mass-produced single-tube chip, through stable optical packaging and strict process control, to achieve stable and reliable fiber-coupled output: 808nm 400μm core diameter output power 25W -40W, spectral width
高功率915nm激光芯片采用了优化的外延结构设计和腔面钝化技术，以提高其输出功率，效率和可靠性，具有转换效率高，长寿命等特点，自主研发的激光芯片发光区宽度为90-180μm输出功率可达12-20W，半峰宽小于4nm，转换效率可达65%；部分指标为国内领先水平，部分指标已达国际一流水平。
核心关键指标：
中心波长：915nm
输出功率：12-20W
发光区宽度：90-180μm
The high-power 915nm laser chip adopts optimized epitaxial structure design and cavity surface passivation technology to improve its output power, efficiency and reliability. It has the characteristics of high conversion efficiency and long lifetime. The self-developed laser chip has a light-emitting area width of 90. The output power of 90-180μm can reach 12-20W, the half-peak width is less than 4nm, and the conversion efficiency can reach 65%. Some indicators are domestic leading level, and some indicators have reached the international first-class level.
Core key indicators:
Center wavelength: 915nm
Output power: 12-20W
Light-emitting area width: 90-180μm
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