北京中材人工晶体研究院有限公司
BEIJING SINOMA SYNTHETIC CRYSTALS CO., LTD.
中国(含港澳台) |
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http://www.risc.com.cn公司简介
北京中材人工晶体研究院有限公司(简称晶体院)是专业从事人工合成晶体材料研发、生产和销售的高新技术企业。晶体院具有雄厚的科技开发实力,多次为国家重大工程项目(如神光Ⅱ、神舟飞船、嫦娥一号、北京29届奥运会)提供关键材料支撑。
晶体院目前主要产品有六大类二十余种:光学晶体材料:CVD ZnS、HPZnS、HPMgF2、AlON透明陶瓷等;激光和非线性晶体材料:KTP、RTP、CLBO等;闪烁晶体材料:NaI(Tl)、CsI、Ce:LaBr3等;先进功能复合材料:Si3N4、微晶云母可加工陶瓷、云母陶瓷绝缘子、熔铸云母陶瓷、合成云母复合材料等;超低膨胀微晶玻璃;第三代半导体材料:AlN、GaN、CVD金刚石等。晶体院承担着《人工晶体学报》和《硅酸盐通报》的出版发行工作,可提供相关技术咨询服务,同时是全国人工晶体标准化技术委员会秘书处承担单位。晶体院作为国家石材质量监督检验中心和建筑材料工业石材装饰装修质量监督检验中心挂靠单位,可面向国内外提供石材及相关辅助材料的检测、技术咨询、标准化等服务,同时是全国石材标准化技术委员会秘书处承担单位。元素级硫化锌
Elemental ZnS(元素级硫化锌)是继热压ZnS、标准CVDZnS之后的第三代窗口ZnS产品,与前两代窗口ZnS材料相比,Elemental ZnS具有透过波段宽、高温红外透过率高、抗热冲击性能好等突出的优势,红外成像使用温度可达400度以上,使用的飞行速度可达3马赫以上。美国雷神公司已开始该产品的研发工作。
中材人工晶体研究院是国内首家采用固态单质法制备Elemental ZnS的研究单位,已建成国内唯一一条第三代CVDZnS生产线,拥有材料生长、加工、镀膜完整工序的先进材料制造平台。 是中材人工晶体研究院制备的Elemental ZnS的自有品牌。产品具有纯度高、硬度高、易加工的特点,在2.5-10.5μm波段透过率可达72%,且透过性能均一。因其具有优秀的高温光学性能和机械性能, 已成功应用于多个武器型号。
Elemental ZnS产品图片及2.5-10.5μm透过曲线
Elemental ZnS and Standard ZnS Transmission(0.4-14mm)
主要性能:
密度:4.09g/cm3 透过波段:0.4~12μm及毫米波
抗弯强度:100MPa 努普硬度:200-230kg/mm2
折射率:2.25 (λ=4.0μm),2.20(λ=10.0μm) 透过率:>72%(3~5μm ,8~10.5μm)
使用温度:室温-400℃
主要规格:
产品类型:球型、平板
直径:~300mm厚度:~15mm范围内任意平板曲面等形状
热压氟化镁
热压多晶氟化镁具有红外透过率高、热辐射系数小、力学性能较好、制备成本较低等优点,是中波红外成像制导首选材料。目前本产品主要用于以红外点光源制导的武器中,但随着红外成像制导技术的迅速发展,今后也会大量地应用在红外成像制导导弹中。
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热压硫化锌
热压多晶硫化锌是以高纯硫化锌为原料,在高温真空条件下压制而成,是一种使用波段宽的红外光学材料,具有优良的透红外光学性能、耐冲击过载的机械性能和良好的热学性能。由于可直接压制成各种曲率半径的球面窗口及大尺寸板材,故被广泛用于各种尺寸的红外探测器窗口。此外,该产品还是一种品质优良的镀膜材料。
规格尺寸:
(1)平板:Φ10-Φ330mm,厚度在15mm以内的各种规格。
(2)整流罩:口径Φ270mm,矢高95mm,厚度在13mm以内的各种规格。
2.性能指标:
机械性能
密度
4.089 g/cm3
洛氏硬度
210-240 kg/mm2
抗弯强度
90 – 100MPa
断裂韧性
0.699MPa·m1/2
杨氏模量
74.5GPa
泊松比
0.29
热学性能
熔点
1830 oC
膨胀系数(23-600oC)
7.4×10-6K-1
热导率
17.2W/m·K
介电常数
8.347
光学性能
透过率(6mm厚)
≥69%(3-5μm)
≥70%(7.5-10.5μm)
折射率
η10=2.1986
应力双折射
0 nm/cm
平均吸收系数
波长
吸收系数
3-5μm
(2.5-5.5)×10-3
7.5-10.5μm
(1-4.7)×10-3
3.规格尺寸:
(1)平板:Φ10-Φ330mm,厚度在15mm以内的各种规格。
(2)整流罩:口径Φ270mm,矢高95mm,厚度在13mm以内的各种规格。
超低膨胀透明微晶玻璃
超低膨胀透明微晶玻璃是通过精密控制锂铝硅系玻璃的微晶化而获得的一类由纳米晶相和玻璃相组成的复合材料,具有接近零的热膨胀系数、高的光透过度、优异的机械强度和介电性能、长期使用的尺寸稳定性和化学稳定性等优良性质。
主要性能
热膨胀系数(-60~100℃): 2.0~8.0×10-8/℃
透过率(0.6μm~2.5μm):≥90%
折射率:n=1.540/0.6328μm波长处
应力双折射:<4nm/cm
密度:2.53g/cm3
抗弯强度:173MPa
长期使用温度: 600℃
应用范围
本公司生产的超低膨胀微晶玻璃可用来制造高精度激光陀螺,此外可用于制作精密光学仪器的反射镜,高精度数控机床的光栅尺,光通信用光栅支架、雷达天线罩、高温观察窗、高温电光源玻璃、投影仪灯罩等,具有较广的应用范围。
主要规格:最大规格1500mm×1500mm
其它规格可按用户要求提供
KTP晶体电光器件
普通助熔剂法 KTP晶体Z向电导率高(10-6 -1•cm-1),作为电光开关存在严重的电致发黑现象。经十余年研发,采用专有技术制备的电光磷酸氧钛钾晶体(简称EO-KTP),电导率低(10-11 -1•cm-1-10-12 -1•cm-1), 实验测试表明在直流加压1000V/mm的极端条件下,Z向连续加压1000小时以上未见电致发黑及透过率下降;该晶体和同族磷酸氧钛铷RTP晶体电光效应相同,具有电光系数大、半波电压低、抗激光损伤阈值高和无压电振荡效应等特点,在电光调Q等方面可广泛应用。
优点:
•高抗光损伤阈值
•极低压电振荡效应
•低插入损耗
•自动温度补偿
•不潮解
•高消光比
主要性能:
透光波段: 350nm~4500nm
1064半波电压:
5x5x25 mm: 2,000 V
8x8x25 mm: 3,200 V
10x10x25 mm: 4,000 V
消光比: >100:1
口径: 2x2 mm²15x15 mm²
损伤阈值:600MW/cm2 @1064nm, 10ns, 10Hz
镀膜剩余反射率:R < 0.1% @ 1064 nm
RTP晶体电光开关
磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)晶体以其高电光系数、高激光损伤阈值、宽透过波段、不潮解、低半波电压、低电导率、低插入损耗尤其是极低振铃效应的高重频等优异性能成为新一代电光器件用材料,非常适合用做电光器件,如激光调Q开关、快门、相位和振幅调制器、脉冲选择器,腔倒空器和偏转器。
优点:
•高抗光损伤阈值
•极低压电振荡效应
•低插入损耗
•自动温度补偿
•不潮解
•高消光比
主要性能:
透光波段: 350nm~4500nm
1064半波电压:
5x5x25 mm: 2,000 V
8x8x25 mm: 3,200 V
10x10x25 mm: 4,000 V
消光比: 100:1
口径: 2x2 mm²15x15 mm²
损伤阈值:600MW/cm2 @1064nm, 10ns, 10Hz
镀膜剩余反射率:R < 0.1% @ 1064 nm
六硼酸锂铯晶体(CLBO)
六硼酸铯锂(CsLiB6O10,简称CLBO)具有优异的紫外非线性特性,特别是能够对Nd:YAG激光器输出的1064nm激光进行四倍频和五倍频。CLBO晶体有高损伤阈值、较小的走离角、较大的可接受角度以及较大的光谱带宽和温度带宽,用于大功率紫外固体激光器。
优势:
•范围广泛的透明度从180nm到2750nm
•较大的接受角
• Wide spectral bandwidth
高损伤阈值
•较小的走离角度
规格
尺寸:(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L + 0.2mm±0.1mm)
平整度:/ 4 / 6”633nm
表面质量:划痕/挖20/10
并行性:优于30弧秒。
Perpendicularity:5弧分钟。
角度公差:△<0.5°,△<0.5°
AR涂层:不可用
清晰光圈:> 90%中央区域
Ce:LaBr3闪烁晶体
掺铈溴化镧(Ce:LaBr3)闪烁晶体作为新一代核辐射探测材料,具有光输出高、能量分辨率好、衰减时间短、非线性响应小等优点,可广泛应用于核素识别、石油测井、环境检测、核医学和高能物理等辐射探测领域。
优点:
•光输出高
•能量分辨率好
•衰减时间短
•非线性响应小
主要技术参数:
•晶体直径:10~50mm
•晶体高度:10~80mm
•光产额: ~63000 Photon/MeV
•发射峰值 :380 nm
•衰减时间:≤30ns
•能量分辨率(@ 662 keV): ≤5.0%
•能量非线性(@0.05~1.3MeV):≤4.0%
•工作温度:-20℃~+200℃
•封装方式:密封
碘化钠(铊)晶体
NaI(Tl)单晶是一种性能优良的闪烁晶体。它是以NaI为基质材料掺以适当浓度的TlI生长而成,其最大发射波长在415nm,可与光电倍增管的光阴极很好地匹配,有很高的发光效率,并且在发光波段没有明显的自吸收,对Χ射线和γ射线均有良好的分辨能力。
热锻NaI(Tl)晶体是以NaI(Tl)单晶为毛坯,在一定的温度和压力下通过塑性形变而成。热锻后晶体的机械强度和抗冲击震动能力得到提高,而闪烁性能不变。此外,通过热锻工艺更易于制备各种复杂几何形状和大尺寸的晶体。
我公司具有NaI(Tl) 晶体生长、热锻和加工封装的完整生产线。研制和开发的NaI(Tl)闪烁晶体先后为国防、军工、石油勘探、冶金、安检、环保、医疗及科研院所
等行业和部门提供了优质的闪烁晶体材料。我公司研制的NaI(Tl) 晶体成功应用于2008
北京奥运会和2010 年上海世博会的安全检查系统,性能良好,得到了用户的充分肯定。
主要性能:
密度3.67 g/cm3熔点651℃
莫氏硬度2.1热膨胀系数47.4 x 10-6 K-1
解理面(100)光产额38x103Photons/MeV γray
最大发射波长415 nm衰减常数250 ns
最大发射波长处折射率1.85
应用范围:石油测井、地质勘探、 核医学、安全和环境监测、高能物理等领域。
主要规格:圆柱系列:φ11mm×200mm ~φ68mm×300mm
异形晶体:三角柱、四方柱、六棱柱等。
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