贯通整个碳化硅全产业链的高新技术企业，既：碳化硅高纯粉料→碳化硅单晶材料→碳化硅外延→碳化硅器件→碳化硅功率模块制备。
单晶材料代加工流程
Ø目前成品晶片TTV＜5、Bow ＜10 、Warp ＜12，粗糙度＜0.1nm（标准＜0.3nm）Ø加工能力：4英寸 10000片/年， 6英寸 5000片/年
日本、韩国等国际先进的加工设备
| 定向仪 | 多线切割机 |
| 抛光机 | 平面研磨 |
| 单线切割机 | 自制单晶炉 |
| 清洗封装机 |
全套的检测仪器
原子力显微镜，拉曼光谱仪，电阻率测试仪
引进日本SIC新型半导体材料划裂片方案是国际SiC划片最先进设备之一。通过切割和劈裂工艺步骤进行加工，该生产工艺采用金刚石刀切割方式；劈刀在划片完成后,在晶圆背面及正面划道位置实现劈开
•工艺优点：
★不使用水冲洗实现干式加工（环保且可削减加工成本）
★极大缩短加工时间，提高生产效率
★缩小切割道，加大芯片密布效果。
★划片刀的损耗降低（削减加工成本）
日本MDI公司划片机
®国际SiC划片最先进设备之一；
®金刚石刀切割方式；
®产品尺寸兼容2、3、4、6、8英寸，单台设备月产能可达1500片。
日本MDI公司裂片机
®国际SiC裂片最先进设备之一；
®劈刀在划片完成后,在晶元背面划道位置及正面划道位置实现劈开；
®产品尺寸兼容2、3、4、6、8英寸，单台设备月产可达1500片。
SiC划裂片产品：
®切割厚度100μm-600um范围内稳定可控；
®切割道宽度＞ 50um以上稳定可控；
®切割芯片尺寸＞1.28mm*1.28mm以上稳定可控。
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