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北京世纪金光半导体有限公司-碳化硅-磷化铟-锑化镓

发布时间:2019-05-13 14:28

北京世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。公司成立于2010年12月24日,注册资金23656万元,位于北京经济技术开发区,占地56亩,总建筑面积达9.3万平米。

公司以“持续降低能耗”为己任,以“自主创新和源头创新”为根本,突破国外技术封锁,实现全产业链自主可控。公司通过研发体系的创新和产线建设的前瞻性布局,不断突破新技术和新工艺,在国内率先实现了SiC全产业链的贯通;产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体材料全产业链,包括:碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片(同质)、碳化硅二端和三端器件、功率模块和典型应用,形成了较为完整的产业链体系,正在大力进行垂直整合,全面推进从产业源头到末端的全产业链贯通,促进产业链上下游协同发展,不断提升公司的核心竞争力。

目前“世纪金光”6英寸碳化硅单晶生长已经研制成功,单晶片已小批量试产;功率器件和模块制备覆盖额定电压650-3300V、额定电流5-40A的碳化硅肖特基二极管(SBD),额定电压900-1200V、额定电流20-50A的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),50-300A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。在终端应用方面,搭载世纪金光碳化硅功率器件的15kw和30kw的充电模块产品和解决方案,已经应用于非车载直流充电桩;搭载SiC SBD和SiC MOSFET 的3.3KW与6.6KW车载双向充电机产品和解决方案,已经开始应用验证;基于碳化硅技术的新能源汽车电机驱动系统的技术开发已经获得重要进展。

 “世纪金光”拥有一支由院士、教授、研究员及海外归国人才等组成的多层次、多领域、优秀的技术研发团队。公司已承担国家科研项目70余项,其中国家科技重大专项8项,12项成果处于国外同类技术领先水平,5项成果达到国内领先水平,11项成果达到国内先进水平。是开发区集成电路科技创新中心成员、第三代半导体功能材料与功率器件创新中心倡导者;2017年建立了国内首个开放共享的“第三代半导体功率器件设计与验证”北京市工程实验室;先后成立了“新型战略电子材料”领域的院士工作站、博士后工作站、技术委员会、企业基层科协等专家团队与组织;在国际合作方面,目前已开展了与法国、德国和台湾的合作。

中国的半导体产业已迈入一个崭新的时代,“世纪金光”将在碳化硅电力电子器件全产业链的基础上继续向纵深和横向发展,在保持自身高速发展的同时,承担更多的社会责任,树立半导体产业中国第一张名牌的大企业形象,真正实现公司的使命“降低能耗、引领绿色、打造科技新生活”。

应用情况: 

(一)民用领域

主要应用光伏、新能源汽车、高性能服务器电源等行业,其中在光伏行业,主要应用的产品为分布式光伏逆变器,包括其Boost部分(SBD及MOSFET)以及逆变部分(半桥模块,包括全SiC模块和混合模块),可使逆变器峰值效率达到99%以上,自身功率损耗降低70%以上,体积减小为之前1/5。在新能源汽车领域,主要应用包括充电桩、车载充电机、车载DC~DC,以及电机驱动器。其中,充电桩、车载充电机、以及DC-DC主要应用MOSFET和SBD产品,电机驱动器主要为大功率模块类产品。在高性能服务器电源行业,主要为应用于PFC的SBD产品,可使系统效提升至超过99%,该行业是当前SiC应用最广泛的行业。而在其他如空调等白色家电市场,也在探索匹配PFC应用,但这类行业由于成本方面的压力,尚处于实验室阶段,无成熟工程应用。在工业控制领域,SiC MOSFET及模块已应用于变频器以及工业电机驱动领域,如机械臂电机驱动器等,可使功率器件损耗降低60%左右,系统体积及散热器重量降低50%以上。

(二)军工领域

主要为各种高压电源和电机驱动器,如相控阵雷达电源,装甲车车载电源,鱼类电机驱动器、飞机多电系统等。SiC器件应用,使系统高温性能及可靠性能力明显提高,一方面,导通电阻的主要参数是漂移降级减小30%以上,可使系统性能更稳定。另一方面,可使最高工作温度从150℃上升至超过225℃(受限于封装),使产品应用于更恶略的工作环境。另外,由于其SiC材料以及含C元素的SiO2介质层在激活能方面的先天优势,在抗辐照领域应用前景乐观,目前多个产品已处于预研阶段,主要应用为航天高压电源,以及战略武器电源等。

北京世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。公司成立于2010年12月24日,注册资金23656万元,位于北京经济技术开发区,占地56亩,总建筑面积达9.3万平米。

公司以“持续降低能耗”为己任,以“自主创新和源头创新”为根本,突破国外技术封锁,实现全产业链自主可控。公司通过研发体系的创新和产线建设的前瞻性布局,不断突破新技术和新工艺,在国内率先实现了SiC全产业链的贯通;产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体材料全产业链,包括:碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片(同质)、碳化硅二端和三端器件、功率模块和典型应用,形成了较为完整的产业链体系,正在大力进行垂直整合,全面推进从产业源头到末端的全产业链贯通,促进产业链上下游协同发展,不断提升公司的核心竞争力。

目前“世纪金光”6英寸碳化硅单晶生长已经研制成功,单晶片已小批量试产;功率器件和模块制备覆盖额定电压650-3300V、额定电流5-40A的碳化硅肖特基二极管(SBD),额定电压900-1200V、额定电流20-50A的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),50-300A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。在终端应用方面,搭载世纪金光碳化硅功率器件的15kw和30kw的充电模块产品和解决方案,已经应用于非车载直流充电桩;搭载SiC SBD和SiC MOSFET 的3.3KW与6.6KW车载双向充电机产品和解决方案,已经开始应用验证;基于碳化硅技术的新能源汽车电机驱动系统的技术开发已经获得重要进展。

 “世纪金光”拥有一支由院士、教授、研究员及海外归国人才等组成的多层次、多领域、优秀的技术研发团队。公司已承担国家科研项目70余项,其中国家科技重大专项8项,12项成果处于国外同类技术领先水平,5项成果达到国内领先水平,11项成果达到国内先进水平。是开发区集成电路科技创新中心成员、第三代半导体功能材料与功率器件创新中心倡导者;2017年建立了国内首个开放共享的“第三代半导体功率器件设计与验证”北京市工程实验室;先后成立了“新型战略电子材料”领域的院士工作站、博士后工作站、技术委员会、企业基层科协等专家团队与组织;在国际合作方面,目前已开展了与法国、德国和台湾的合作。

中国的半导体产业已迈入一个崭新的时代,“世纪金光”将在碳化硅电力电子器件全产业链的基础上继续向纵深和横向发展,在保持自身高速发展的同时,承担更多的社会责任,树立半导体产业中国第一张名牌的大企业形象,真正实现公司的使命“降低能耗、引领绿色、打造科技新生活”。

应用情况: 

(一)民用领域

主要应用光伏、新能源汽车、高性能服务器电源等行业,其中在光伏行业,主要应用的产品为分布式光伏逆变器,包括其Boost部分(SBD及MOSFET)以及逆变部分(半桥模块,包括全SiC模块和混合模块),可使逆变器峰值效率达到99%以上,自身功率损耗降低70%以上,体积减小为之前1/5。在新能源汽车领域,主要应用包括充电桩、车载充电机、车载DC~DC,以及电机驱动器。其中,充电桩、车载充电机、以及DC-DC主要应用MOSFET和SBD产品,电机驱动器主要为大功率模块类产品。在高性能服务器电源行业,主要为应用于PFC的SBD产品,可使系统效提升至超过99%,该行业是当前SiC应用最广泛的行业。而在其他如空调等白色家电市场,也在探索匹配PFC应用,但这类行业由于成本方面的压力,尚处于实验室阶段,无成熟工程应用。在工业控制领域,SiC MOSFET及模块已应用于变频器以及工业电机驱动领域,如机械臂电机驱动器等,可使功率器件损耗降低60%左右,系统体积及散热器重量降低50%以上。

(二)军工领域

主要为各种高压电源和电机驱动器,如相控阵雷达电源,装甲车车载电源,鱼类电机驱动器、飞机多电系统等。SiC器件应用,使系统高温性能及可靠性能力明显提高,一方面,导通电阻的主要参数是漂移降级减小30%以上,可使系统性能更稳定。另一方面,可使最高工作温度从150℃上升至超过225℃(受限于封装),使产品应用于更恶略的工作环境。另外,由于其SiC材料以及含C元素的SiO2介质层在激活能方面的先天优势,在抗辐照领域应用前景乐观,目前多个产品已处于预研阶段,主要应用为航天高压电源,以及战略武器电源等。



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