本次展示的是，半导体用高纯度金属，激光用GaAs基板，红光·红外LED（波段660-1650nm）,深紫外LED（255-340nm）。
-高纯度金属：高纯度6N，7N级、Ga, In, Mg, Zn与Sb
-激光用GaAs基板： 特点是EPD数值极低，适用于激光与VCSEL。提供2-6英寸产品，可指定各特性数值。
-红光·红外LED（波段660-1650nm）：提供用于传感器的LED芯片。芯片特征为，全检，高效率，可指定的规格范围宽。
最近发表了SWIR波段的LED芯片。可提供此波段区间的1200-1650nm波段。1300nm波段的 LED芯片已达到全球最高输出功率水平
此外，我们也在开发MIR LED与红光VCSEL。MIR LED波段为3-5um，预计可使用在传感器上。红光VCSEL为工业用。
-深紫外LED： DOWA深紫外LED的特点是、寿命长（LT70@10k小时）、高功率（特定用途高达100mW）、可提供多样波段（255-340nm）。可提供芯片、TO-CAN、SMD。除此之外也可定做。
