硅晶圆减薄和背面金属化-半导体晶圆加工中道制程

Ø半导体晶圆加工中道制程

Ø硅晶圆减薄和背面金属化；

Ø6inch、8inch、12inch晶圆减薄、抛光和背面金属化；

Ø晶圆背面金属：TiNiAg、TiAu/Au、TiNiAgSn等Ø目前产能：21,000片；

o晶圆减薄背面金属化；n6inch& 8inch& 12inch晶圆；nCuPillar晶圆的减薄背面金属化；nSolderBall晶圆的减薄背面金属化；o6inch, 8inch, 12inch晶圆背面减薄和抛光；o陶瓷片减薄和抛光、TiNiAu金属化；o玻璃片镀膜；o晶圆正面NiAu & NiPdAu金属化；

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